| 标题 |
  A TCAD-Based Analysis of Substrate Bias Effect on Asymmetric Lateral SiGe HBT for THz Applications 基于TCAD的THz非对称横向SiGe HBT衬底偏压效应分析
相关领域
异质结双极晶体管
基质（水族馆）
偏压
光电子学
绝缘体上的硅
符号
硅锗
材料科学
硅
击穿电压
双极结晶体管
晶体管
锗
拓扑（电路）
物理
数学
组合数学
量子力学
电压
海洋学
算术
地质学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Soumya Ranjan Panda; Sébastien Frégonèse; P. Chevalier; Anjan Chakravorty; Thomas Zimmer 出版日期：2023-03-09 |
| 求助人 |
唠叨的灯泡
在
2025-08-29 16:03:25 发布，悬赏 10 积分
|
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
不想干活
小青椒
Meyako
期待未来的自己
Billy
执着谷兰
花楹
pluto
不安青牛
linkman
核桃
COSMAO
飲啖茶食個包
8R60d8
七月流火
Maestro_S
圆锥香蕉
子车茗
不配.
null
皖公网安备34019202002308
