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5.1 Å EOT and low leakage TiN/Al2O3/Hf0.5Zr0.5O2/Al2O3/TiN heterostructure for DRAM capacitor |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Zhen Luo; Xinzhe Du; Hui Gan; Yue Lin; Wensheng Yan; et al 出版日期:2023 |
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(2025-6-4)