Study on Differences in Single-Event Leakage Current of Planar-Gate and Asymmetric Trench-Gate SiC MOSFETs

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标题	Study on Differences in Single-Event Leakage Current of Planar-Gate and Asymmetric Trench-Gate SiC MOSFETs
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/11117210/11117222/111174...
DOI	10.23919/ispsd62843.2025.11117436 doi
其它	期刊：2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Xiaoping Dong; Mingmin Huang; Yao Ma; Zhimei Yangl; Yun Lil; Min Gong 出版日期：2025-08-20
求助人	浮梦在 2026-06-10 19:44:46 发布自安徽，悬赏 10 积分
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