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A Process-Robust Split-Gate eFlash Memory with Spacer-Defined Floating Gate in 55-nm Node 相关领域
非易失性存储器
稳健性(进化)
计算机科学
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非易失性随机存取存储器
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期刊:IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者:Wanyi Ling; Kun Ren; Dianyu Qi; Yongyu Wu; Guangji Li; et al 出版日期:2026-03-12 |
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