CMOS-based Ge-on-Si SPAD featuring a modified Ge structure for ultra-low-noise performance

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标题	CMOS-based Ge-on-Si SPAD featuring a modified Ge structure for ultra-low-noise performance
网址	https://doi.org/10.1117/12.3077420
DOI	10.1117/12.3077420 doi
其它	期刊：Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXXIV 作者：Jau-Yang Wu; Chi-En Chen; Chao-Hsin Wu; Gong-Ru Lin; Marek Osiński; et al 出版日期：2026
求助人	loywell 在 2026-03-17 12:39:28 发布自上海，悬赏 20 积分
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