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650-V GaN-based MIS-HEMTs using LPCVD-SiNx as passivation and gate dielectric |
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期刊:2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) 作者:Mengyuan Hua; Cheng Liu; Shu Yang; Shenghou Liu; Yunyou Lu; et al 出版日期:2015-05-01 |
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