A new concept β -Ga 2 O 3 device: lateral β -Ga 2 O 3 /p-NiO heterojunction IGBT with improved on-state current density

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标题	A new concept β -Ga 2 O 3 device: lateral β -Ga 2 O 3 /p-NiO heterojunction IGBT with improved on-state current density
网址	http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ae9c6b
DOI	10.1088/1361-6641/ae9c6b doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Moufu Kong; Liang Zhao; Jiaxin Li; Bo Yi; Lingxuan Qian; et al 出版日期：2026-08-01
求助人	momo19 在 2026-09-02 07:33:10 发布自美国，悬赏 10 积分
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