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  Threshold‐Voltage Modulation and N 2 O Plasma Passivation for Enhanced Retention and Memory Window in Capacitorless 2T0C DRAM Oxide Thin‐Film Transistors 相关领域
德拉姆
动态随机存取存储器
材料科学
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期刊：Advanced Science 作者：Chahwan Yang; M. Lee; Junghoon Han; S. Nam 出版日期：2026-03-03 |
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