Identifying the Predominant Leakage Channel under Low Reverse Bias for β-Ga 2 O 3 Vertical Device Epitaxy on the (010) Plane

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标题	Identifying the Predominant Leakage Channel under Low Reverse Bias for β-Ga 2 O 3 Vertical Device Epitaxy on the (010) Plane
网址	https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acs.cgd.5c01495
DOI	10.1021/acs.cgd.5c01495 doi
其它	期刊：Crystal Growth & Design 作者：Jing Di; Hezhi Zhang; Zishi Wang; Chunlei Tao; Wenxiang Mu; et al 出版日期：2026-03-24
求助人	寂寞的寄松在 2026-04-12 18:53:33 发布自广东，悬赏 10 积分
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