Ultraviolet-sensitive and power-efficient oxide phototransistor enabled by nanometer-scale thickness engineering of InZnO semiconductor and gate bias modulation

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标题	Ultraviolet-sensitive and power-efficient oxide phototransistor enabled by nanometer-scale thickness engineering of InZnO semiconductor and gate bias modulation
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/5.01854...
DOI	10.1063/5.0185490 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xuan Zhang; Eun Chong Ju; Jong Min Lee; Sung Kyu Park; Sung Woon Cho 出版日期：2023-12-26
求助人	阿拉在 2026-03-18 23:04:14 发布自广东，悬赏 10 积分
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