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标题
Estimation of switching losses considering non-linear parasitic capacitances of GaN E-HEMT
考虑非线性寄生电容的GaN E-HEMT开关损耗估算
相关领域
高电子迁移率晶体管 寄生电容 氮化镓 电容 能量（信号处理） 电子工程 材料科学 计算机科学 晶体管 电气工程 工程类 数学 电压 物理 统计 量子力学 电极 复合材料 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1007/s43236-023-00653-9
DOI
10.1007/s43236-023-00653-9 doi
其它 期刊：Journal of Power Electronics
作者：Inwon Lee; Dongkwan Yoon; Younghoon Cho
出版日期：2023-05-30
求助人
LDWV 在 2025-12-03 20:46:26 发布自贵州，悬赏 10 积分
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