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Off‐State Drain Leakage Current Mechanism in GaN High Electron Mobility Transistors from Thermal Storage Test GaN高电子迁移率晶体管的关态漏电流机制
相关领域
跨导
高电子迁移率晶体管
材料科学
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期刊:physica status solidi (a) 作者:Jayjit Mukherjee; Rupesh K. Chaubey; D. S. Rawal; R. S. Dhaka 出版日期:2022-08-09 |
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