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标题
High-Efficiency and High-Quality Photogalvanic Etching of the Silicon Doped N-Type Gallium Nitride Using Potassium Peroxomonosulfate Oxidant
过氧单硫酸钾氧化剂高效高质量光电刻蚀硅掺杂N型氮化镓
相关领域
材料科学 蚀刻（微加工） 薄脆饼 电解质 光电子学 兴奋剂 反应离子刻蚀 氮化镓 纳米技术 图层（电子） 化学 电极 物理化学
网址
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac6907
DOI
10.1149/2162-8777/ac6907 doi
其它 期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology
作者：Sai Guo; Mingming Zhang; Liqing Qiao; Huiqing Hu; Kang Shi
出版日期：2022-04-21
求助人
slby 在 2025-12-04 19:36:20 发布自河南，悬赏 10 积分
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