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标题
Direct barrier evaluation method for SiC devices with junction barrier Schottky structures demonstrated with quasi-continuous spacing variation
准连续间距变化的结势垒肖特基结构SiC器件的直接势垒评估方法
相关领域
肖特基势垒 材料科学 肖特基二极管 碳化硅 饱和电流 光电子学 二极管 线性 电子工程 工程类 电气工程 复合材料 电压
网址
https://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/5.0100828
AI链接 scitation.org scitation.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0100828 doi
其它 期刊：AIP Advances
作者：Hu Long; Na Ren; Kuang Sheng
出版日期：2022-08-01
求助人
夏虫 在 2025-12-06 13:29:45 发布自山东，悬赏 10 积分
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