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  Optoelectronic and structural characterization of trapezoidal defects in 4H-SiC epilayers and the effect on MOSFET reliability 4H-SiC外延层梯形缺陷的光电和结构表征及其对MOSFET可靠性的影响
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Sami A. El Hageali; Harvey Guthrey; Steve Johnston; Andrew G. Norman; Jake Soto; et al 出版日期：2023-08-18 |
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