Unveiling the parasitic electron channel under the gate of enhancement-mode p-channel GaN field-effect transistors on the p-GaN/AlGaN/GaN platform

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标题	Unveiling the parasitic electron channel under the gate of enhancement-mode p-channel GaN field-effect transistors on the p-GaN/AlGaN/GaN platform 揭示p-GaN/AlGaN/GaN平台上增强型p沟道GaN场效应晶体管栅极下的寄生电子沟道
网址	https://doi.org/10.1063/5.0086954
DOI	10.1063/5.0086954 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Zheyang Zheng; Tao Chen; Li Zhang; Wenjie Song; Kevin J. Chen 出版日期：2022
求助人	席慕容在 2025-12-05 13:22:12 发布自山东，悬赏 10 积分
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