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[高分]
Active elimination of DC bias current of a SiC based dual active bridge by controlling the dead time period 通过控制死区周期主动消除SiC基双有源电桥的直流偏置电流
相关领域
碳化硅
电气工程
死时间
变压器
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计算机科学
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半桥
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冶金
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期刊:IET Power Electronics 作者:G. Ganesha Perumal; Kamalesh Hatua; M D Rajagopal 出版日期:2024-08-08 |
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