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 Formation of GeSn layers on Si (001) substrates at high growth temperature and high deposition rate by sputter epitaxy method 相关领域
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期刊：Journal of Materials Science 作者：Takahiro Tsukamoto; Nobumitsu Hirose; Akifumi Kasamatsu; Takashi Mimura; Toshiaki Matsui; et al 出版日期：2015-04-02 |
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