Record high electron mobility and low sheet resistance on scaled-channel N-polar GaN/AlN heterostructures grown on on-axis N-polar GaN substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

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标题	Record high electron mobility and low sheet resistance on scaled-channel N-polar GaN/AlN heterostructures grown on on-axis N-polar GaN substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy 相关领域高电子迁移率晶体管材料科学光电子学分子束外延异质结电子迁移率晶体管薄板电阻宽禁带半导体外延纳米技术图层（电子）电气工程电压工程类
网址	https://doi.org/10.1063/5.0014460
DOI	10.1063/5.0014460 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Sandra Díez; Subhajit Mohanty; Çağlıyan Kurdak; Elaheh Ahmadi 出版日期：2020-07-27
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