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  Medium-Temperature-Oxidized GeOx Resistive-Switching Random-Access Memory and Its Applicability in Processing-in-Memory Computing 相关领域
电阻随机存取存储器
冯·诺依曼建筑
计算机科学
互连
非易失性存储器
延迟（音频）
材料科学
可靠性（半导体）
计算机体系结构
嵌入式系统
计算机硬件
电气工程
功率（物理）
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电压
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工程类
物理
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期刊：Nanoscale Research Letters 作者：Kannan Udaya Mohanan; Seongjae Cho; Byung‐Gook Park 出版日期：2022-07-05 |
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