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 A 12nm 121-TOPS/W 41.6-TOPS/mm2 All Digital Full Precision SRAM-based Compute-in-Memory with Configurable Bit-width For AI Edge Applications 面向AI边缘应用的12nm 121-TOPS/W 41.6-TOPS/mm2基于全数字全精度SRAM的可配置位宽内存计算
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现场可编程门阵列
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CMOS芯片
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期刊：2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Chia-Fu Lee; C.W. Lu; Cheng-En Lee; H. Mori; Hidehiro Fujiwara; et al 出版日期：2022-06-12 |
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