MBE growth of P-doped 1.3 μm InAs quantum dot lasers on silicon

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标题	MBE growth of P-doped 1.3 μm InAs quantum dot lasers on silicon
网址	http://dx.doi.org/10.1116/1.4864148
DOI	10.1116/1.4864148 doi
其它	期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 作者：Alan Y. Liu; Chong Zhang; Andrew Snyder; Dmitri Lubyshev; Joel M. Fastenau; et al 出版日期：2014-02-06
求助人	萌神的救赎在 2026-08-25 16:20:37 发布自北京，悬赏 10 积分
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