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 Milliwatt-power sub-230-nm AlGaN LEDs with >1500 h lifetime on a single-crystal AlN substrate with many quantum wells for effective carrier injection 毫瓦功率亚230nm AlGaN发光二极管在具有多量子阱的AlN单晶衬底上寿命大于1500h的有效载流子注入
相关领域
发光二极管
材料科学
光电子学
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量子阱
二极管
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光学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Hirotsugu Kobayashi; Kosuke Sato; Yusuke Okuaki; TaeGi Lee; Tomohiro Morishita; et al 出版日期：2023-03-06 |
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