Improvement in Short-Channel Effects of the Thin-Film Transistors Using Atomic-Layer Deposited In–Ga–Sn–O Channels With Various Channel Compositions

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标题	Improvement in Short-Channel Effects of the Thin-Film Transistors Using Atomic-Layer Deposited In–Ga–Sn–O Channels With Various Channel Compositions 用不同沟道成分的原子层沉积In-Ga-Sn-O沟道改善薄膜晶体管的短沟道效应相关领域薄膜晶体管频道（广播）材料科学图层（电子）分析化学（期刊）数学光电子学电气工程化学纳米技术色谱法工程类
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2022.3198032
DOI	10.1109/ted.2022.3198032 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Shin-Ho Noh; Hyoeun Kim; Jong-Heon Yang; Yong-Hae Kim; Young-Ha Kwon; et al 出版日期：2022-10-01
求助人	不安的硬币在 2024-04-26 15:57:53 发布自广东，悬赏 10 积分
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