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  High Reliability and Breakdown Voltage of GaN HEMTs on Free-Standing GaN Substrates 相关领域
材料科学
光电子学
氮化镓
晶体管
击穿电压
位错
可靠性（半导体）
外延
电压
宽禁带半导体
功率半导体器件
泄漏（经济）
高压
压力（语言学）
功率密度
阈值电压
氮化物
逻辑门
高电子迁移率晶体管
和大门
MOSFET
格子（音乐）
电力电子
电子迁移率
电气工程
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期刊：Nanomaterials 作者：Shiming Li; Mei Wu; Ling Yang; Hao Lu; Bin Hou; et al 出版日期：2025-12-15 |
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(2025-6-4)
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