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Reduction of GIDL Using Dual Work-Function Metal Gate in DRAM 利用双功函数金属栅极降低DRAM中的GIDL
相关领域
德拉姆
泄漏(经济)
工作职能
材料科学
动态随机存取存储器
电气工程
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计算机科学
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电压
栅氧化层
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宏观经济学
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期刊: 作者:Satendra Kumar Gautam; Satish Maheshwaram; S. K. Manhas; Arvind Kumar; S. Sherman; et al 出版日期:2016-05-01 |
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