| 标题 |
Low contact resistance metallization for gigabit scale DRAM's using fully-dry cleaning by Ar/H/sub 2/ ECR plasma Ar/H/sub 2/ECR等离子体全干法清洗千兆级DRAM的低接触电阻金属化
相关领域
德拉姆
接触电阻
材料科学
电子回旋共振
锡
千兆位
干法蚀刻
光电子学
等离子体
动态随机存取存储器
分析化学(期刊)
电气工程
复合材料
冶金
电子工程
蚀刻(微加工)
化学
工程类
图层(电子)
物理
半导体存储器
量子力学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:T. Taguwa; Keiichiro Urabe; Makoto Sekine; Yuki Yamada; Toshiko Kikkawa 出版日期:1997-04-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)