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 InAs quantum dot-in-a-well heterostructures with InGaAs, GaAsN and GaAsSb well using digital alloy capping layer 使用数字合金覆盖层的InGaAs、GaAsN和GaAsSb阱中InAs量子点异质结构
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期刊：Current Applied Physics 作者：Ravindra Kumar; Jhuma Saha; Binita Tongbram; Debiprasad Panda; Raveesh Gourishetty; et al 出版日期：2023-01-10 |
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