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 Radiation Defects Created in n‐Type 4H‐SiC by Electron Irradiation in the Energy Range of 1–10 MeV 相关领域
电子
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二极管
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期刊：physica status solidi (a) 作者：P. Hazdra; J. Vobecký 出版日期：2019-07-02 |
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