Loading Effect during SiGe/Si Stack Selective Isotropic Etching for Gate-All-Around Transistors

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标题	Loading Effect during SiGe/Si Stack Selective Isotropic Etching for Gate-All-Around Transistors 全栅极晶体管SiGe/Si堆叠选择性各向同性刻蚀过程中的负载效应相关领域材料科学堆栈（抽象数据类型）蚀刻（微加工）光电子学晶体管各向同性金属浇口纳米技术图层（电子）栅氧化层电气工程光学计算机科学工程类物理电压程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c01462
DOI	10.1021/acsaelm.4c01462 doi
其它	期刊：ACS applied electronic materials 作者：Hua Shao; Tobias Reiter; Rui Chen; Junjie Li; Ziyi Hu; et al 出版日期：2024-10-14
求助人	核桃在 2025-11-11 09:53:38 发布自湖北，悬赏 10 积分
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