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标题
Influence of Bulk Doping and Halos on the TID Response of I/O and Core 150 nm nMOSFETs
体掺杂和晕对I/O和核心150 nm NMOSFET TID响应的影响
相关领域
跨导 材料科学 阈下传导 浅沟隔离 光电子学 阈值电压 兴奋剂 MOSFET 泄漏（经济） 阈下斜率 晶体管 CMOS芯片 沟槽 电气工程 电压 纳米技术 工程类 宏观经济学 经济 图层（电子）
网址
https://www.mdpi.com/2079-9292/12/3/543/pdf?version=16751292...
AI链接 mdpi.com mdpi.com handle.netdoi.org
DOI
10.3390/electronics12030543 doi
其它 期刊：Electronics
作者：Stefano Bonaldo; S. Mattiazzo; Marta Bagatin; A. Paccagnella; G. Margutti; et al
出版日期：2023-01-20
求助人
阿木 在 2025-12-10 19:42:51 发布自宁夏，悬赏 10 积分
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