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 Molecular beam epitaxy growth and properties of GaN, AlxGa1−xN, and AlN on GaN/SiC substrates 相关领域
材料科学
分子束外延
金属有机气相外延
光电子学
半最大全宽
光致发光
外延
发光二极管
基质（水族馆）
异质结
氮化物
成核
化学气相沉积
图层（电子）
纳米技术
化学
海洋学
有机化学
地质学
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena 作者：Mark A. Johnson; Shizυo Fujita; W. H. Rowland; Karen Bowers; W. C. Hughes; et al 出版日期：1996-05-01 |
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