An AlN/Al0.85Ga0.15N high electron mobility transistor

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标题	An AlN/Al0.85Ga0.15N high electron mobility transistor 一种AlN/Al0.85Ga0.15N高电子迁移率晶体管相关领域光电子学材料科学高电子迁移率晶体管异质结晶体管宽禁带半导体电子迁移率肖特基势垒阈下斜率泄漏（经济）阈值电压阈下传导击穿电压电压电气工程宏观经济学经济工程类二极管
网址	https://doi.org/10.1063/1.4959179
DOI	10.1063/1.4959179 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Albert G. Baca; Andrew Armstrong; Andrew A. Allerman; E Douglas; Carlos Anthony Sanchez; et al 出版日期：2016-07-18
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