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[高分]
 Determination of bulk and interface density of states in metal oxide semiconductor thin-film transistors by using capacitance–voltage characteristics 用电容-电压特性测定金属氧化物半导体薄膜晶体管的体态和界面态密度
相关领域
电容
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期刊：The European Physical Journal Applied Physics 作者：Xixiong Wei; Wanling Deng; Jielin Fang; Xiaoyu Ma; Junkai Huang 出版日期：2017-08-31 |
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