Investigation of Tm2O3 As a Gate Dielectric for Ge MOS Devices

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标题	Investigation of Tm2O3 As a Gate Dielectric for Ge MOS Devices
网址	https://syndication.highwire.org/content/doi/10.1149/08607.0...
DOI	10.1149/08607.0067ecst doi
其它	期刊：ECS Transactions 作者：Laura Žurauskaitė; Leanne Jones; Vinod R. Dhanak; Ivona Z. Mitrovic; Per-Erik Hellström; Mikael Östling 出版日期：2018-09-22
求助人	雨歌在 2026-01-30 16:25:44 发布自内蒙古，悬赏 10 积分
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