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标题
Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC PiN diodes using proton implantation to solve bipolar degradation
用质子注入抑制4H-SiC PiN二极管中的层错扩展以解决双极退化
相关领域
材料科学 薄脆饼 光电子学 二极管 堆积 叠加断层 外延 PIN二极管 降级（电信） 可靠性（半导体） 离子注入 功率半导体器件 半导体器件 位错 电压 功率（物理） 电子工程 电气工程 纳米技术 复合材料 离子 化学 有机化学 工程类 图层（电子） 量子力学 物理
网址
https://www.nature.com/articles/s41598-022-23691-y.pdf
AI链接 nature.com nature.com nih.gov nih.gov doaj.orgdoi.org
DOI
10.1038/s41598-022-23691-y doi
其它 期刊：Scientific Reports
作者：Masashi Kato; Ohga Watanabe; Toshiki Mii; Hitoshi Sakane; Shunta Harada
出版日期：2022-11-05
求助人
慕夏 在 2025-12-03 20:57:19 发布自上海，悬赏 10 积分
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