| 标题 |
 Reconfigurable Physical Reservoir in GaN/α-In2Se3 HEMTs Enabled by Out-of-Plane Local Polarization of Ferroelectric 2D Layer 铁电2D层的离面局域极化使GaN/α-In2Se_3HEMT中的可重构物理库
相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
光电子学
铁电性
异质结
氮化镓
极化（电化学）
半导体
费米气体
晶体管
量子阱
纳米技术
电压
图层（电子）
电子
电气工程
光学
电介质
化学
物理
物理化学
量子力学
工程类
激光器
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：ACS Nano 作者：Jeong Yong Yang; Minseong Park; Min Jae Yeom; Yongmin Baek; Seok Chan Yoon; et al 出版日期：2023-04-04 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
cdercder
back you up
平常的毛豆
HEIKU
淡然的熊猫
ZhouYW
Ankher
lin
孤独尔白
余味
Auston_zhong
Leo
冰魂
爱静静
Mercury
SYLH
qihuan152
科研小民工
kento
良辰
皖公网安备34019202002308
