| 标题 |
 High-Efficiency AlN/GaN HEMTs With High-Quality Stacked Gate Dielectrics on Si Substrate for K-and Ka-Band Applications 用于K波段和Ka波段应用的Si衬底上具有高质量堆叠栅极电介质的高效AlN/GaN HEMT
相关领域
材料科学
光电子学
电介质
基质（水族馆）
质量（理念）
宽禁带半导体
Ka波段
电气工程
工程类
物理
海洋学
量子力学
地质学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Lingjie Qin; Jiejie Zhu; Qing Zhu; Bowen Zhang; Dayan Yuan; et al 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
SYLH
昏睡的蟠桃
YamDaamCaa
pluto
ED
yar
smottom
Singularity
shinysparrow
Rondab
猪猪hero
Bio
热心市民小红花
请叫我风吹麦浪
iNk
轻松的亦寒
难过的谷芹
pcr163
诸葛带你做分析_yorfir
eric888
皖公网安备34019202002308
