| 标题 |
 An analysis of latch-up prevention in CMOS IC's using an epitaxial-buried layer process 利用外延埋层工艺防止CMOS IC锁存的分析
相关领域
CMOS芯片
图层（电子）
晶体管
外延
光电子学
物理
基础（拓扑）
电流（流体）
过程（计算）
领域（数学）
材料科学
计算机科学
电气工程
拓扑（电路）
工程类
电压
数学
纳米技术
操作系统
数学分析
纯数学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：International Electron Devices Meeting 作者：D.B. Estreich; A. Ochoa; R.W. Dutton 出版日期：1978-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
鸣笛
herococa
棋士
ceeray23
彭于彦祖
coolkid
ED
SYLH
昏睡的蟠桃
眼睛大雨筠
iNk
乐乐乐乐乐乐
yznfly
CR7
1101592875
LaTeXer
tramp
一一
eric888
典雅的俊驰
皖公网安备34019202002308
