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 Self-powered action in metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures on different substrates 基于不同衬底上AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的金属-半导体-金属紫外光探测器中的自供电作用
相关领域
光电探测器
光电子学
紫外线
材料科学
晶体管
金属
半导体
电子迁移率
动作（物理）
电子
电气工程
物理
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工程类
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期刊：Optical Materials 作者：Ahmed S. Razeen; Eric X. Tang; Gao Yuan; Jesper Ong; K. Radhakrishnan; et al 出版日期：2024-04-01 |
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