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 Writing‐Speed Dependent Thresholds of Ferroelectric Domain Switching in Monolayer α‐In2Se3 α-In2Se3单层铁电畴开关的写入速度相关阈值
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W. Yang, B. Cheng, J. Hou, J. Deng, X. Ding, J. Sun, and J. Z. Liu, Writing-speed dependent thresholds of ferroelectric domain switching in monolayer α-In2Se3, Small Methods 7(6), 2300050 (2023) |
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