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 Comparative investigation of semipolar (11–22) GaN grown on patterned (113) Si with different V/III ratios via MOCVD MOCVD法在不同V/III比的（113）Si上生长半极性（11-22）GaN的比较研究
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Bangyao Mao; Shu’an Xing; Guijuan Zhao; Lianshan Wang; Ning Zhang; et al 出版日期：2023-01-27 |
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