Realization low resistivity of high AlN mole fraction Si-doped AlGaN by suppressing the formation native vacancies

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标题	Realization low resistivity of high AlN mole fraction Si-doped AlGaN by suppressing the formation native vacancies 抑制天然空位形成实现高AlN摩尔分数掺硅AlGaN的低电阻率相关领域电阻率和电导率兴奋剂材料科学摩尔分数空位缺陷实现（概率）分析化学（期刊）化学光电子学结晶学电气工程物理化学数学色谱法统计工程类
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126245
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2021.126245 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Jiawei Yang; Yanhui Zhang; Degang Zhao; Ping Chen; Z.S. Liu; et al 出版日期：2021-07-05
求助人	雨霧雲在 2025-09-11 09:29:20 发布自广东，悬赏 10 积分
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