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  First Demonstration of Vertical Sandwich GAA TFETs with Self-Aligned High-k Metal Gates and Abrupt Doping Tunneling Junctions 具有自对准高k金属栅极和突变掺杂隧穿结的垂直夹层GaA TFET的首次演示
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Yongkui Zhang; Yangyang Li; Huilong Zhu; Qi Wang; Yong Du; et al 出版日期：2023-07-01 |
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Herbert
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