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 Electroluminescence and Gate Carrier Dynamics in a Schottky-Type p-GaN Gate Double-Channel GaN HEMT 肖特基型p-GaN栅双沟道GaN HEMT的电致发光和栅载流子动力学
相关领域
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Sirui Feng; Hang Liao; Tao Chen; Junting Chen; Yan Cheng; et al 出版日期：2023-08-04 |
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