| 标题 |
Research on Electrical Characteristics of 1200V SiC Trench MOSFET with Periodic Arrangement of 3D P-shield Structure 周期性排列3D P屏蔽结构的1200 V SiC沟道场效应晶体管电气特性研究
|
| 网址 | |
| DOI |
暂未提供,该求助的时间将会延长,查看原因?
|
| 求助人 | |
| 下载 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)