Carrier recombination mechanism at defects in wide band gap two-dimensional materials from first principles

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标题	Carrier recombination mechanism at defects in wide band gap two-dimensional materials from first principles 从第一性原理看宽带隙二维材料缺陷处的载流子复合机制相关领域重组自发辐射半导体材料科学无辐射复合光子载流子寿命声子带隙辐射传输光电子学化学物理物理凝聚态物理半导体材料光学化学硅基因生物化学激光器
网址	https://doi.org/10.1103/physrevb.100.081407
DOI	10.1103/physrevb.100.081407 doi
其它	期刊：Physical review 作者：Feng Wu; Tyler J. Smart; Junqing Xu; Yuan Ping 出版日期：2019-08-19
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