2D Electron Gas‐Induced the Lowered Tunneling Barrier and Ohmic Behavior Simultaneously in 2D Metal‐Semiconductor Contacts

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标题	2D Electron Gas‐Induced the Lowered Tunneling Barrier and Ohmic Behavior Simultaneously in 2D Metal‐Semiconductor Contacts 二维电子气同时诱导二维金属-半导体接触中隧道势垒和欧姆行为的降低
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202513567
DOI	10.1002/adfm.202513567 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Xianghong Niu; Zifan Niu; Wenchao Shan; Anqi Shi; Xinxin Wang; Xiuyun Zhang 出版日期：2025
求助人	wqy 在 2025-09-04 09:53:42 发布自上海，悬赏 10 积分
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