Concentration of Fluorine Atoms and Kinetics of Reactive-Ion Etching of Silicon in CF4 + O2, CHF3 + O2, and C4F8 + O2 Mixtures

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标题	Concentration of Fluorine Atoms and Kinetics of Reactive-Ion Etching of Silicon in CF4 + O2, CHF3 + O2, and C4F8 + O2 Mixtures
网址	https://doi.org/10.1134/s1063739723700488
DOI	10.1134/s1063739723700488 doi
其它	期刊：Russian Microelectronics 作者：Alexander Efremov; A. V. Bobylev; Kwang‐Ho Kwon 出版日期：2023-08-01
求助人	烯灯在 2026-07-31 14:25:03 发布自湖南，悬赏 10 积分
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Management Information Systems Quarterly

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