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 Suppression of Metal Boundary Effect by Inserting a Middle Barrier Layer of TaN for Metal Gates 相关领域
材料科学
工作职能
锡
图层（电子）
金属
噪声裕度
阻挡层
NMOS逻辑
金属浇口
沉积（地质）
光电子学
阈值电压
复合材料
电子工程
原子层沉积
扩散阻挡层
氧化铟锡
矩形势垒
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Chenghao Liang; Ran Bi; Jing-Ya Cao; Yu-Long Jiang 出版日期：2026-01-01 |
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